磷化铟(InP)是一种重要的化合物半导体材料,具有宽禁带结构、电子极限漂移速度高、耐辐射性好,导热好等优点。适用于制造高频、大功率微波器件和集成电路,在微波通信、光纤通信、制导/导航等民用及军事领域应用十分广泛。

磷化铟(InP)是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料;有两个独特的物理性能:波长稳定和高迁移率。因此磷化铟成为唯一能应用于微波、毫米波器件领域中的高端材料。磷化铟的光波长是1.3至1.55微米,是光纤传播中损耗最少的波长,因此磷化铟成为光通讯领域的核心半导体材料。

目前InP晶体生长技术在世界范围内分为三种:

VGF--垂直温度梯度结晶生长法,又名温梯法。

HB--水平生长法。

LEC--液封提拉晶体生长法,又名:提拉法。

我司采用VGF生长法生长出来的晶体,相比较于其他两项的技术优点是:晶体缺陷密度极低;晶体热应力远优于LEC和HB晶体。

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经过多年的努力,公司已建立起一支“从机械、电子、到化学物理工程都有着丰富实践经验和研发能力的科技团队;完成了从设备制造到安装调试;对InP之3"、4"掺“S”、“Fe”进行深入的研究,已经具备了批量生产的全部条件。对VGF晶体生长技术的许多关键工艺流程有新的发明和突破性的技术改进,并取得专利。

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